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硅碳棒温度越高寿命越短。特别是在炉膛温度超过1400C以后(SH和SL型，而螺旋棒在1600C),氧化速度加快，硅碳棒的使用寿命变短，所以请尽量不要让硅碳棒表面温度过高，即有必要缩小炉膛温度与硅碳棒温度之差。表面负荷密度指棒的发热部单位表面积所允许承载的额定功率。
表面负荷密度=额定功率(W) 1发热部表面积( cm2)
实践证明:负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。负荷密度大则棒体表面温度高，电阻增长快，SIC棒的寿命短。因此，硅碳棒表面温度负荷密度、炉内气氛、温度与SIC 棒老化速度成正比，与SIC棒的寿命成反比。
就已经生产时有与硅碳棒内的化硅管状非金属高温电热元件。氧化性气氛中正常使用温度可达1450，连续使用可达2000小时左右
二，物理性质
元件质地：硬而脆，耐急冷急热，高温下不易变形，其它物理性能如下：
导热系数：20大卡/米·小时·度。
线膨胀系数：5×10-6（m/）。
三，化学性质
硅碳棒有良好的化学稳定性，抗酸能力强。在高温条件下碱性物质对其有侵蚀作用。
硅碳棒元件在1000以上长期使用能与氧气和水蒸气发生如下作用：
SiC+2O2→SiO2+CO2 SiC+4H2O=SiO2+4H2+CO2
致使元件中SiO2含量逐渐增多，电阻随之缓慢增加，为之老化。如水蒸气过多，会促进SiC氧化，由式反应产生的H2与空气中的O2结合H2O再反应产生恶性循环。降低元件寿命。氢气（H2）能使元件机械强度降低。氮气（N2）在1200以下能防止SiC氧化1350以上与SiC发生反应，使SiC分解氯气（Cl2）能使Sic完全分解
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